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プロフィール
八木 修平 ヤギ シュウヘイ
| ■所属部署名 | 理工学研究科 数理電子情報部門 | ■電話番号 | ||
| ■職名 | 准教授 | ■FAX番号 | ||
| ■住所 | 埼玉県さいたま市桜区下大久保255 | ■メールアドレス | Shuhei_[at]_mail.saitama-u.ac.jp | |
| ■ホームページURL | http://opt.eeap.saitama-u.ac.jp/ |
プロフィール
兼担研究科・学部
- 工学部 電気電子システム工学科
研究分野
- 半導体工学
- 光エレクトロニクス
- キーワード：半導体工学 , 結晶成長 , 高効率太陽電池 , III-V族化合物半導体 , 希釈窒化物半導体 , 分子線エピタキシー
所属学会
- 所属学会
- 日本太陽光発電学会
- 応用物理学会
- 電子情報通信学会
学歴
- 出身大学院・研究科等
- 2004 , 東京工業大学 , 博士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
- 2001 , 東京工業大学 , 修士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
- 出身学校・専攻等(大学院を除く)
- 1999 , 電気通信大学 , 電気通信学部 , 電子工学科 , 卒業
- 1997 , 東京工業高等専門学校 , 電気工学科 , 卒業
- 取得学位
- 博士（工学） , 東京工業大学
- 修士（工学） , 東京工業大学
研究職歴等
- 研究職歴
- 2015 , 埼玉大学大学院理工学研究科 准教授
- 2010 - 2015 , 埼玉大学大学院理工学研究科 助教
- 2009 - 2010 , 東京大学先端科学技術研究センター 特任助教
- 2008 - 2009 , 東京大学先端科学技術研究センター 特任研究員
- 2007 - 2008 , 筑波大学研究院数理物質科学研究科 研究員
- 2006 - 2007 , 独立行政法人 物質・材料研究機構 NIMSポスドク研究員
- 2004 - 2006 , 独立行政法人 物質・材料研究機構 特別研究員
研究活動業績
研究業績(著書・発表論文等)
- 著書
-
Physics and Technology of Silicon Carbide Devices: Chapter 7 Thermal Oxidation Mechanism of Silicon Carbide
InTech 201210
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi and S. Yoshida -
荒川康彦 監修「超高効率太陽電池・関連材料の最前線」 第5章3節 量子・ナノ構造太陽電池（分担執筆）
シーエムシー出版:171-181 2011
ISBN:978-4-7813-0310-9
八木修平 - 論文
-
Nitrogen concentration dependence of two-step photocurrent generation by below-gap excitation in GaPN alloys
Physica Status Solidi B:2300369 2024
A. Qayoom, S. Yagi, Hiroyuki Yaguchi -
Effects of carrier-blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells
Japanese Journal of Applied Physics,62(SK):SK1008 202303
S. Yagi, S. Numata, Y. Shoji, Y. Okada and H. Yaguchi -
Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN
Japanese Journal of Applied Physics,62:SK1038 2023
A. Qayoom, S. Ferdous, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Two-Step Photocurrent Generation through Band Tail States in GaPN-Based Intermediate Band Solar Cells
North American Academic Research,6:20 2023
A. Qayoom, S. Yagi, Hiroyuki Yaguchi -
Activation of two dopants, Bi and Er in δ-doped layer in Si crystal
Nano Futures,5:045005 202201
K. Murata, S. Yagi, T. Kanazawa, S. Tsubomatsu, C. Kirkham, K. Nittoh, D. R Bowler and K. Miki -
Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN by Combining Two-Wavelength Excited Photoluminescence and Time-Resolved Photoluminescence
Phisica Status Solidi B,258:2100119 2021
S. Ferdous, H. Iwai, N. Kamata, H. Yaguchi, S. Yagi -
Detection of Nonradiative Recombination Centers in GaPN(N:0.105%) by Below-Gap Excitation Light
Physica Status Solidi B,257(2):1900377 2020
S. Fedous, N. Kamata, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Spectral Change of E- Band Emission in a GaAs:N delta-Doped Superlattice Due to Below-Gap Excitation and Its Discrimination from Thermal Activation
Journal of ELECTRONIC MATERIALS,49(2):1550 2020
Md. D. Haque, N. Kamata, A.Z.M. T. Islam, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Photoluminescence intensity change of GaP1−xNx alloys by laser irradiation
AIP Advances,10: 095302 2020
Md. Z. Sultan, A. Shiroma, S. Yagi, K. Takamiya, and H. Yaguchi -
Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N delta-doped superlattice structure
Optical Materials,89:521-527 2019
Md. D. Haque, N. Kamata, A.Z.M. T. Islam, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi -
Growth temperature dependence of cubic GaN step structures and cubic InN dot arrays grown on MgO (001) vicinal substrates
Jpn. J. Appl. Phys.,58:SC1051 2019
K. Okura, K. Takamiya, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence
Journal of Applied Physics,123(16):161426 2018
M.D. Haque, N. Kamata, T. Fukuda, Z. Honda, S. Yagi, and H. Yaguchi, and Y. Okada -
Effects of solvent vapor annealing on organic photovoltaics with a new type of solution-processable oligothiophene-based electronic donor material
Japanese Journal of Applied Physics,57:08RE09 2018
Y. Akiyama, H. Tachibana, R. Azumi, T. Miyadera, M. Chikamatsu, T. Koganezawa, S. Yagi and H. Yaguchi -
Photoluminescence Characterization of Carrier Recombination Centers in 4H-SiC Substrates by Utilizing below Gap Excitation
Materials Science Forum,897:315-318 201705
K. Kondo, N. Kamata, H. Yaguchi, S. Yagi, T. Fukuda, and Z. Honda -
Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation
Physica Status Solidi B,254:1600566 2017
N. Kamata, M. Suetsugu, D. Haque, S. Yagi, and H. Yaguchi, F. Karlsson, and P.O. Holtz -
Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates
Physica Status Solidi B,254(2):1600542 2017
K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Growth of InN/GaN dots on 4H-SiC(0001) 4o off vicinal substrates by molecular beam epitaxy
Journal of Crystal Growth,477:201-206 2017
K. Matsuoka, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Biexciton Emission From Single Quantum‐Confined Structures in N‐Polar (000‐1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
Physica Status Solidi B,255(5):201700454(1-4) 2017
K. Takamiya, S. Yagi, H. Y. H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, and R. Katayama -
Molecular beam epitaxial growth of intermediate band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices
Jpn. J. Appl. Phys.,54(8S1):08KA07 201507
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi -
Surface Orientation Dependence of SiC Oxidation Process Studied by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
Mat. Sci. Forum,821-823:371-374 201506
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy
Japanese Journal of Applied Physics,54:051201 201504
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry
Jounal of Applied Physics,117(9):095306 2015
D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi -
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults
Mat. Sci. Forum,821-823:328-330 2015
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
Jpn. J. Appl. Phys.,54:08KA04 2015
K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi -
Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers
AIP Advances,5:127116 2015
Y. Miyano, R. Asafuji, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
Si emission into the oxide layer during oxidation of silicon carbide
201402
Y. Hijikata, Y. Akasaka, S. Yagi , and H. Yaguchi -
Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N delta-doped superlattices
Applied Physics Express,7(10):102301 2014
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H. Yaguchi -
Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys
Physica Status Solidi A,211(4):752-755 2014
W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi -
Conversion Efficiency of Intermediate Band Solar Cells with GaAs:N Delta-Doped Superlattices
Japanese Journal of Applied Physics,vol. 52:102302 201310
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. kuboya, K. Onabe, and H. Yaguchi -
Analysis of Electronic Structures of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
IEEE Journal of Photovoltaics,3(4):pp. 1287-1291 201309
S. Noguchi, S. Yagi, D. Sato, Y. Hijikata, K. Onabe, S. Kuboya and H. Yaguchi -
RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN
Journal of Crystal Growth,vol. 378 :454-458 201309
J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence
Applied Physics Express,vol. 6:092401 201307
A. Z. Md. T. Islam, T. Hanaoka, K. Onabe, S. Yagi, N. Kamada and H. Yaguchi -
Staked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
Phys. Status Solidi C,vol. 10:pp. 1545-1548 2013
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata and H. Yaguchi -
Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates
Journal of Crystal Growth,vol. 378:pp. 85-87 2013
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi -
Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atomospheric pressures using the Si and C emission model
Materials Science Forum,vols. 740-742:pp. 833-836 2013
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida -
Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
Journal of Applied Physics,112(2):024502 201207
K. Kouda, Y. Hijikata, S.Yagi, H. Yaguchi, and S.Yoshida -
Micro-Photoluminescence Study on the Influence of Oxidation on Satacking Faults in 4H-SiC Epilayers
Applied Physics Express,5:051302-051305 201205
H. Yamagata, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi -
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
Mater. Sci. Forum,706-7009:2916-2921 201201
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi -
RF-MBE growth of semipolar InN and InGaN(10-13) on GaAs(110)
Physica Status Solidi C,9:658-661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi -
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
Materials Science Forum,706-709:2916-2921 2012
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi -
Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-doped GaAs
Applied Physics Express,5:111201-111203 2012
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi -
RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
Physica Status Solidi C,9:658-661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
High-density quantum dot superlattice for application to high-efficiency solar cells
Physca Status Solidi C:619-621 201011
R. Oshima, Y. Okada, A. Takata, S. Yagi, K. Akahane, -
量子ドット超格子による高効率太陽電池の開発
応用物理学会,応用物理,79(3):206-212 201003
岡田至崇、八木修平、大島隆治 -
Surface bismuth removal after Bi nanoline encapsulation in silicon
Surface Science,595(1-3):L311-L317 200512
S. Yagi, W. Yashiro, K. Sakamoto, K. Miki -
Substitutional C Incorporation into Si1-yCy Alloys Using Novel Carbon Source, 1,3-Disilabutane
Jpn. J. Appl. Phys.,43:4153 200407
S. Yagi, K. Abe, A. Yamada and M. Konagai -
C Stability in Si1-yCy Epitaxial Films Grown by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys.,42(4R):1499 200304
S. Yagi, K. Abe, A. Yamada and M. Konagai -
Phosphorous Doping of Strain-Induced Si1-yCy Epitaxial Films Grown by Low-Temperature Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys.,41:2472-2475 200204
S. Yagi, K. Abe, T. Okabayashi, Y. Yoneyama, Akira Yamada and M. Konagai -
Growth and characterization of phosphorus doped Si1−yCy alloy grown by photo- and plasma-CVD at very low temperature
Materials Science and Engineering,89(1-3):303-305 200202
K. Abe, S. Yagi, T. Okabayashi, A. Yamada, M. Konagai -
Characterization of Tensile Strained Si1-yCy Alloy Grown by Photo- and Plasma Chemical Vapor Deposition at Very Low Temperature
Jpn. J. Appl. Phys.,40:4440 200107
K. Abe, S. Yagi, T. Okabayashi, A. Yamada and M. Konagai -
Epitaxial Growth of Si1-yCy Film by Low Temperature Chemical Vapor Deposition
Jpn. J. Appl. Phys.,39:L1078 2000
S. Yagi, K. Abe, A. Yamada, M. Konagai - 学会発表
-
InGaAs熱光起電力セルへ向けた表面電極改善による直列抵抗低減
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年第71回応用物理学会春季学術講演会予稿集:24p-P06-2 202403
伊達 仁基、大島 隆治、庄司 靖、菅谷 武芳、八木 修平、矢口 裕之 -
基板再利用技術に向けたICP-RIEを用いたGeの異方性エッチング
2024年第71回応用物理学会春季学術講演会,2024年第71回応用物理学会春季学術講演会予稿集:24p-P06-3 202403
范 文博、大島 隆治、庄司 靖、菅谷 武芳、八木 修平、矢口 裕之 -
Siをイオン注入したn-GaNの二波長励起PL測定 ~ BGEエネルギー依存性 ~
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会,第84回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:21p-P07-2 202309
徳田 大鷹、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
中間バンドをトンネル接合したタンデム太陽電池構造の提案とサブセル伝導帯間伝導電流の検証
2023年第84回応用物理学会秋季学術講演会,第84回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:20p-P06-1 202309
中尾 蒼矢、八木 修平、樗木 悠亮、岡田 至崇、宮下 直也、矢口 裕之 -
Conversion Efficiency Analysis of Tandem Solar Cells with Intermediate Band Tunnel Connection
IEEE 50th Photovoltaic Specialists Conference ,50th IEEE Photovoltaic Specialists Conference Abstracts, ( ):1 202306
Shuhei Yagi and Hiroyuki Yaguchi -
Temperature Dependence of Two-Step Photocurrent Generation in GaAs:N Dilute Nitride Intermediate Band Solar Cells
Compound Semiconductor Week 2023,Compound Semiconductor Week 2023 abstracts, ( ):PI-044 202305
C. Yokokawa, S. Yagi, Y. Shoji, Y. Okada, H. Yaguchi -
窒素δドープGaAs 中の等電子トラップに局在した励起子分子の束縛エネルギーに関する研究
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,第70回応用物理学会春季学術講演会予稿集:16a-A205-6 202303
矢野 裕子、高宮 健吾、藤川 紗千恵、八木 修平、矢口 裕之、小林 真隆、秋山 英文 -
立方晶 InN ナノワイヤの配向性制御に向けた下地 GaN 層の厚膜化
2023年第70回応用物理学会春季学術講演会,2023年第70回応用物理学会春季学術講演会予稿集:15a-B401-4 202303
芦部 蓮、八木 修平、矢口 裕之 -
Effects of carrier blocking barrier height on two-step photocurrent generation in dilute nitride intermediate band solar cells
The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33),Abstracts of 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference:TuO-42c-04 202211
Shuhei Yagi, Shun Numata, Yasushi Shoji, Yoshitaka Okada and Hiroyuki Yaguchi -
Photocurrent enhancement by below bandgap excitation in GaPN
The 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-33),Abstracts of 33rd International Photovoltaic Science and Engineering Conference:TiP-42-02 202211
Abdul Qayoom, Sanjida Fedous, Shuhei Yagi and Hiroyuki Yaguchi -
レーザー照射による GaPN 混晶の フォトルミネッセンス強度減衰の温度依存性
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,第83回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:22p-P12-2 202209
八木橋 善和、高宮 健吾、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
時分解フォトルミネッセンス法を用いた超格子構造導入によるAlGaN量子井戸からの発光への効果の評価
2022年第83回応用物理学会秋季学術講演会,第83回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:22p-P12-3 202209
鎌田 昇平、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
ErドープGaAsからの発光線の励起強度依存性
2022年第69回応用物理学会春季学術講演会,2022年第69回応用物理学会春季学術講演会予稿集:23p-P07-6 202203
伊藤 駿平、高宮 健吾、小林 真隆、八木 修平、秋山 英文、矢口 裕之 -
高パワー密度励起におけるGaAsのフォトルミネッセンス強度低下
2021年第82回応用物理学会秋季学術講演会,第82回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:23p-P10-2 202109
高岡 祥平、Md. Zamil Sultan、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
窒素δ-ドープGaAs超格子の二波長励起フォトルミネッセンス法によるキャリア再結合準位評価
第80回応用物理学会秋季学術講演会,第80回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18p-PB4-11 202009
永田 航太、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
(111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光
第80回応用物理学会秋季学術講演会,第80回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18a-B31-7 202009
高岡 祥平、高宮 健吾、八木 修平、挟間 優治、秋山 英文、矢口 裕之 -
GaPN混晶のアップコンバージョン発光へのバンドギャップエネルギーを超える励起光の影響
第81回応用物理学会秋季学術講演会,第81回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:9p-Z01-3 202009
相良 鋼、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
中間バンド型GaPN混晶のキャリア再結合過程の光学的評価：窒素濃度1.4%と3.2%の比較
第61回応用物理学会春季学術講演会,第61回応用物理学会春季学術講演会予稿集:19p-Z29-1 202003
岩井 広樹、フェルドス サンジーダ、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
GaN V溝構造を下地層とした立方晶InNナノワイヤの作製
第80回応用物理学会秋季学術講演会,第80回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18a-PB3-20 201909
西村 裕介、八木 修平、矢口 裕之 -
InGaAs:N δドープ超格子の電気特性評価
第80回応用物理学会秋季学術講演会,第80回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18a-B31-6 201909
米野 龍司、宮下 直也、岡田 至崇、八木 修平、矢口 裕之 -
RF-MBE法による立方晶GaN中間層を用いたInNナノコラムの成長
第80回応用物理学会秋季学術講演会,第80回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18a-PB3-19 201909
大沼 力也、八木 修平、矢口 裕之 -
Photoluminescence Intensity Change of GaPN by Laser Irradiation
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019) 201909
Sultan Md. Zamil, Akinori Shiroma, Shuhei Yagi, Kengo Takamiya, and Hiroyuki Yaguchi -
Fabrication of Cubic InN Nanowires on GaN V-Groove Structures
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019) 201909
Yusuke Nishimura, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi -
Two-Wavelength Excited Photoluminescence Study of Upconversion Photoluminescence from GaPN alloys
The 13th International Conference on Nitride Semiconductors 2019 (ICNS-13) 201907
Hiroyuki Yaguchi, Wataru Takahashi, Kengo Takamiya, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama, Hidefumi Akiyama -
Growth Temperature Dependence of Cubic GaN Step Structures and Cubic InN Dot Arrays Grown on MgO(001) Vicinal Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),Abstracts of IWN 2018 201811
K. Okura, K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi -
規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19p-PA4-25 201809
大倉 一将、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18-p-234B-6 201809
塚原悠太、八木 修平、矢口 裕之 -
二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18p-234B-4 201809
高橋 渉、高宮 健吾、八木 修平、狭間 優治、秋山 英文、矢口 裕之、鎌田 憲彦 -
RF-MBE法による4H-SiC(0001)基板上へのN極性GaNの作製
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集: 19p-PA4-14 201809
杉浦 亮、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
Growth of InGaAs:N δ-doped superlattices for multi-junction solar cells
7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion(WCPEC-7),Abstracts of WCPEC-7 201806
S. Umeda, S. Yagi, N. Miyashita, Y. Okada, H. Yaguchi -
MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
第65回応用物理学会春季学術講演会,第65回応用物理学会春季学術講演会予稿集:18p-P8-12 201803
五十嵐 大輔、高宮 健吾、伊藤 隆、八木 修平、秋山 英文、矢口 裕之 -
EFFECT OF SOLVENT VAPOR ANNEALING ON ORGANICPHOTOVOLTAICS WITH A NEW TYPE OF SOLUTION PROCESSABLE OLIGOTHIOPHENE-BASED ELECTRONIC DONOR MATERIAL
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSWC-27 abstracts:4ThPo.136 201711
Y. Akiyama, H. Tachibana, R. Azumi, T. Miyadera, M. Chikamatsu,T. Koganezawa, S. Yagi, H. Yaguchi -
FIRST-PRINCIPLES STUDY OF OPTICAL TRANSITIONS IN GALLIUM ARSENIDE:NITROGEN DELTA-DOPED SUPERLATTICES
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:6ThPo.187 201711
H. Yoshikawa, S. Yagi, H. Yaguchi -
INFLUENCE OF NITROGEN ATOMIC ARRANGEMENT IN GAASN ALLOYS ON BAND GAP ENERGY
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:6ThPo.190 201711
K. Miyajima, S. Yagi, Y. Shoji, Y. Okada, and H. Yaguchi -
REAL-TIME X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS FOR SOLVENT VAPOR ANNEALING PROCESS OF SMALL-MOLECULE/FULLERENE FILMS
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:4ThPo.143 201711
T. Miyadera, K. Arai, T. Koganezawa, Y. Akiyama,H. Tachibana, Y. Yoshida, M. Chikamatsu, S. Yagi, H. Yaguchi -
Nanostructured Dilute Nitride Alloys for High-Efficiency Solar Cells
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth,NENCS 2017 abstracts:IN15 201710
S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi -
GaPN混晶のアップコンバージョン発光
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:6p-PA7-1 201709
高橋 渉、高宮 健吾、八木 修平、伊藤 隆、秋山 英文、矢口 裕之 -
基板再利用に向けたELO後基板の清浄化工程と再成長の検討
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:6p-PA5-23 201709
宮下 直也、八木 修平、渡辺 健太郎、木村 大希、ソダーバンル ハッサネット、中田 達也、杉山 正和、岡田 至崇 -
希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:5p-C21-1 201709
宮島 数喜、八木 修平、庄司 靖、岡田 至崇、矢口 裕之 -
新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:5p-PA3-7 201709
秋山 雄希、橘 浩昭、阿澄 玲子、宮寺 哲彦、近松 真之、八木 修平、矢口 裕之 -
Carrier Recombination levels in Intermediate-Band type GaPN revealed by Time Resolved and Two-Wavelength Excited Photoluminescence
Compound Semiconductor Week 2017,CSW 2017 abstracts 201705
N. Kamata, M. Suetsugu, M.D. Haque ,S. Yagi, H. Yaguchi, F. Karlsson, and P.O. Holtz -
Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices
Compound Semiconductor Week 2017,CSW 2017 abstracts 201705
R. Kato, S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi -
ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:17p-P2-8 201703
五十嵐 大輔、高宮 健吾、八木 修平、伊藤 隆、秋山 英文、矢口 裕之 -
n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:15p-P16-8 201703
加藤 諒、八木 修平、岡田 至崇、矢口 裕之 -
1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:14p-B6-9 201703
梅田 峻平、八木 修平、宮下直哉、岡田至崇、矢口裕之 -
Properties of dilute nitride pseudo-alloys grown using a nitrogen delta-doping technique
SPIE Photonic West 2017,SPIE 2017 Abstracts 201701
S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi -
窒素δドーピングによる希釈窒化物混晶の成長と評価
第12回量子ナノ材料セミナー 201611
八木修平 -
Effect of Carrier Blocking Layer on Carrier Collection in Intermediate-Band Solar Cells using GaAs:N δ-Doped Superlattice
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26),26th Photovoltac Science and Engineering Conference Abstracts 201610
T. Suzuki, S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi -
4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:16a-P5-11 201609
松岡 圭佑、八木 修平、矢口 裕之 -
レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:15a-P11-11 201609
米倉 成一、高宮 健吾、八木 修平、上田 修、矢口 裕之 -
新規可溶性オリゴチオフェン系材料を用いた有機薄膜太陽電池
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-P9-11 201609
秋山 雄希、橘 浩昭、阿澄 玲子、宮寺 哲彦、近松 真之、小金澤 智之、矢口 裕之、八木 修平 -
Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi -
Growth of InN/GaN Dots on 4H‐SiC(0001) 4° off Vicinal Substrates by Molecular Beam Epitaxy
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
K. Matsuoka, S. Yagi and H. Yaguchi -
Nano‐Structural Characterization of Cubic InN Dots Grown on Single‐Domain Cubic GaN by Transmission Electron Microscopy
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
S. Yagi, K. Ishii and H. Yaguchi -
Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates
Compound Semiconductor Week 2016,Abstract of ISCS 2016 201606
K. Ishii, S. Yagi and H. Yaguchi -
Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density
Compound Semiconductor Week 2016,CSW 2016 abstracts 201606
K. Kondo, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda and Z. Honda -
Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two- Wavelength Excited Photoluminescence
Compound Semiconductor Week 2016,CSW 2016 abstracts 201606
M. Suetsugu, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson, and P.-O. Holtz -
MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
石井 健一、八木 修平、矢口 裕之 -
4H-SiC基板の二波長励起PL測定－BGE強度依存性－
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
近藤 圭太郎、福田 武司、本多 善太郎、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之 -
添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
新井 康司、宮寺 哲彦、小金澤 智之、秋山 雄希、杉田 武、近松 真之、八木 修平、矢口 裕之 -
DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:16p-F201-3 201603
新井 康司、宮寺 哲彦、小金澤 智之、秋山 雄希、橘 浩昭、吉田 郵司、近松 真之、八木 修平 -
希釈窒化物混晶の結晶成長制御とマルチバンド太陽電池への応用
第11回量子ナノセミナー 201512
八木修平 -
微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
石井 健一、折原 操、八木 修平、矢口 裕之 -
GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
金 日国、高宮 健吾、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之 -
Epitaxial Relationship of GaN Grown on GaAs (110) by RF-Molecular Beam Epitaxy
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11) 201509
T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. kuboya, R. Katayama and H. Yaguchi -
Lateral Alignment of InN Nano-Scale Dots Grown on 4H-SiC(0001) Vicinal Substrates
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-11) 201509
S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi -
Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2015),Proc. of SemiconNano2015 201509
S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi -
第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集: 13p-PB2-2 201509
吉川 洋生、八木 修平、矢口 裕之 -
第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-PB2-1 201509
宮崎 貴史、八木 修平、矢口 裕之 -
Er ドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-PB2-4 201509
飯村 啓泰、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δ ドープGaAsの発光特性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,13p-PB2-5:13p-PB2-5 201509
須藤 真樹、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之 -
フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:15a-1A-11 201509
浅藤 亮祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之 -
第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13a-P15-2 201503
宮崎 貴史, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之 -
GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13p-P19-17 201503
鈴木 智也, 八木 修平, 土方 泰斗, 岡田 至崇, 矢口 裕之 -
4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:12p-P16-9 201503
森 誠也, 高宮 健吾, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之 -
Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Material Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1TuO.7.4 201411
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi -
Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1WePo.1.9 201411
K. Osada, T, Suzuki S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi -
MBE法によるGaAs中窒素δドープ超格子の作製と中間バンド型太陽電池への応用
第10回量子ナノ材料セミナー 201410
八木修平 -
SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-PB5-11 201409
今野良太郎，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-S1-6 201409
長田一輝，鈴木智也，八木修平，内藤駿弥，庄司靖，岡田至崇，土方泰斗，矢口裕之 -
中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会 ,第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集:19p-PB3-10 201409
鈴木智也，長田一輝，八木修平，内藤俊弥，土方泰斗，岡田至崇，矢口裕之 -
Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-44 201409
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi -
Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-58 201409
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi -
Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41st International Symposium on Compound Semiconductors:P48 201405
Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi -
Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
The 41 st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41 st International Symposium on Compound Semiconductors:P45 201405
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi -
RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
第61回応用物理学会春季学術講演会,第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集:20a-PG1-15 201403
五十嵐健，折原操，八木修平，土方泰斗，窪谷茂幸，片山竜二，矢口裕之 -
GaAs中窒素δドープ超格子の光学特性と中間バンド型太陽電池への応用
第9回量子ナノ材料セミナー,第9回量子ナノ材料セミナー講演予稿集 201311
八木修平、矢口裕之 -
Intermediate band solar cells based on GaAs:N delta-doped superlattices
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstracts of SemiconNano 2013:Session XVIII:I-35 201311
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi -
irst-Principles Study of an Intermediate Band of GaPN Alloys
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference 201310
Makoto SaitoK. Sakamoto, S. Yagi, H. Yaguchi -
Fabrication and characterization of intermediate band solar cells using GaAs:N delta-doped superlattice
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltac Science and Engineering Conference 201310
Shuhei Yagi -
Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N delta-doped GaAs
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstract of SemiconNano2013:Session XVIII:C-18 201310
K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi -
Si Emission into the Oxide Layer during Oxidation of Silicon Carbide
International Conference on Silicon Carbide,Abstracts of ICSCRM2013:Th-2B-4 201310
Y. Hijikata, Y. Akasaka, S. Yagi, and H. Yaguchi -
InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-P7-15 201309
徳田英俊，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-11 201309
高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之 -
GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-13 201309
岩崎卓也，八木修平，土方泰斗，矢口裕之，上田修 -
GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-16 201309
山崎泰由，八木修平，土方泰斗，尾鍋研太郎，矢口裕之 -
六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P9-4 201309
後藤大祐，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-D6-14 201309
八木修平，野口駿介，土方泰斗，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，岡田至崇，矢口裕之 -
Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N Delta-Doped Superlattices
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC39),Proceedings of 39th Photovoltaic Specialists Conference:2490 - 2493 201306
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi -
Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013),Abstracts of the 40th ISCS 201305
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi -
中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超格子のE+バンド光吸収の観測
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB7-19 201303
野口駿介，八木修平，土方泰斗，窪谷茂幸，岡田至崇，尾鍋研太郎，矢口裕之 -
4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB4-9 201303
宮野祐太郎，矢口裕之，土方泰斗，八木修平 -
RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:28p-PA1-1 201303
鈴木潤一郎，折原操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
Carrier Transport through Resonant Tunneling Structures for Hot Carrier Solar Cells
4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells 201212
Shuhei Yagi -
量子ドット太陽電池に向けた立方晶GaN上への立方晶InNドット配列成長
第3回薄膜太陽電池セミナー,第3回薄膜太陽電池セミナー予稿集 201210
鈴木潤一郎、折原操、八木修平、土方泰斗、矢口裕之 -
Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N delta doped superlattices for Intermediate Band Solar Cells
International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM):A-1-P26-014 201209
Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe and Hiroyuki Yaguchi -
RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-24 201209
Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi -
Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-21 201209
R. G. Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama and Hiroyuki Yaguchi -
Optically assisted IV effect in a GaAs/AlGaAs resonant tunnel diode
International Workshop on High Efficiency Materials for Photovoltaics (HEMP) 2012 201209
Shuhei Yagi -
RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:13p-H9-17 201209
折原 操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-16 201209
金日国，八木修平，土方泰斗，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，片山竜二，矢口裕之 -
窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-20 201209
高宮健吾，八木修平，土方泰斗，望月敏光，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，片山竜二，矢口裕之 -
InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-11 201209
増田 篤，折原 操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-12 201209
五十嵐健，折原 操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
第一原理計算によりGaAsNの電子構造に関する対する原子配置の影響に関する研究
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-22 201209
坂本 圭，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-4 201209
大谷篤志，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
スパッタ薄膜成長による4H-SiC基板中の非発光再結合中心生成
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-12 201209
加藤寿悠，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 201209
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida -
Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:000083-000086 201206
Shunsuke Noguchi, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe, Shigeyuki Kuboya and Hiroyuki Yaguchi -
GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-12 201203
野口駿介，八木修平，土方泰斗，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，矢口裕之 -
熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:17p-A8-11 201203
山形 光，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:16a-DP1-27 201203
吉田倫大，折原 操，八木修平，土方泰斗，矢口裕之 -
Application of Quantum Nanostructures to High-Efficiency Solar Cells
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会 "Japan-Korea Symposium on Photovoltaics",第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:15p-A1-6 201203
S. Yagi and Y. Okada -
窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17a-A8-9 201203
高宮健吾，福島俊之，星野真也，八木修平，土方泰斗，望月敏光，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，片山竜二，尾鍋研太郎，矢口裕之 -
窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-13 201203
新井佑也，星野真也，高宮健吾，八木修平，土方泰斗，望月敏光，吉田正裕，秋山英文，窪谷茂幸，尾鍋研太郎，矢口裕之 -
EFFECT OF THERMAL CURRENT AT SELECTIVE CONTACTS USING RESONANT TUNNELING STRUCTURES ON PERFORMANCE OF HOT CARRIER SOLAR CELLS
The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference ,Technical Digest of the 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference :2D-4P-04 201112
Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi -
共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:1a-H-12 201109
八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之 -
Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures 201109
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi -
SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:31p-N-11 201108
篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史 -
窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30p-ZA-5 201108
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之 -
RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長（II）
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-9 201108
鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之 -
Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials 201108
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi -
RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-8 201108
折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之 -
RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
9th International Conference on Nitride Semiconductors,Abstracts of the 9th International Conference on Nitride Semiconductors:PD3.19 201107
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi -
Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proc. of 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:003309 201106
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi -
In-situ分光エリプソメｰタによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定
第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会,第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿集 201010
甲田 景子,土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史 -
高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:16a-ZV-3 201009
大島隆治，高田彩未，八木修平，赤羽浩一，玉置 亮，宮野健次郎，岡田至崇 -
酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:15a-ZS-10 201009
土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史 -
極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-3 201009
石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,岡野 真人,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之 -
極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-1 201009
大久保 航,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,片山 竜二,尾鍋 研太郎, 矢口 裕之 -
極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-2 201009
新井 佑也,遠藤 雄太,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之 -
窒素δドｰプGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-5 201009
星野 真也,遠藤 雄太,福島 俊之,高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之 -
窒素δドｰプGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-6 201009
高宮 健吾,遠藤 雄太,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,サノｰピン サクンタム,矢口 裕之 -
Fabrication of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contact of Hot Carrier Solar Cell Based on III-V Semiconductors
35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:001213-001216 201006
S. Yagi and Y. Okada -
Recent Progress on High-Efficiency Quantum Dot Solar Cells
Nanophotonics2010 201005
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada -
RF-MBE 法による立方晶GaN 上への立方晶InN ドットの成長
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:26p-BZ-2 201003
鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之 -
GaAs(110)基板上に作製した窒素δドｰプGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25p-BQ-4 201003
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之 -
InN/p-4H-SiC構造の作製と電気･光学特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25a-BY-7 201003
矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之 -
Recent Progress on Quantum Dot Solar Cell
2nd International Symposium on Innovative Solar Cells,Abstracts of 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells:79 200912
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada -
Evaluation of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contacts of Hot Carrier Solar Cells
Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009,Abstract of Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 200912
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada -
EVALUATION OF SELECTIVE ENERGY CONTACT FOR HOT CARRIER SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS
34th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE,Proceedings of the 34st IEEE Photovoltaic Specialists Conference:540 200906
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada -
Upconversion Luminescence from GaPN Alloys with Various N Compositions
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)
Kengo Takamiya, Wataru Takahashi, Shuhei Yagi, Norihiko Kamata, Yuji Hazama, Hidefumi Akiyama, and Hiroyuki Yaguchi -
Growth of InN nanocolumns using a cubic GaN interlayer by RF-MBE
7th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano2019)
Rikiya Onuma, Shuhei Yagi, and Hiroyuki Yaguchi