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プロフィール

八木 修平 ヤギ シュウヘイ

所属部署名 理工学研究科 数理電子情報部門 電話番号
職名 准教授 ■FAX番号
住所 埼玉県さいたま市桜区下大久保255 ■メールアドレス
■ホームページURL

プロフィール

兼担研究科・学部

工学部 電気電子システム工学科

研究分野

半導体工学
キーワード:半導体工学 , 結晶成長 , 高効率太陽電池

学歴

出身大学院・研究科等
2004 , 東京工業大学 , 博士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
2001 , 東京工業大学 , 修士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
出身学校・専攻等(大学院を除く)
1999 , 電気通信大学 , 電気通信学部 , 電子工学科 , 卒業

研究活動業績

研究業績(著書・発表論文等)

論文
Photoluminescence characterization of nonradiative recombination centers in MOVPE grown GaAs:N delta-doped superlattice structure
,Optical Materials,89:521-527 2019
Md. D. haque, N. Kamata, A.Z.M. T. Islam, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi

Growth temperature dependence of cubic GaN step structures and cubic InN dot arrays grown on MgO (001) vicinal substrates
,Japanese Journal of Applied Physics 2019
K. Okura, K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi

Nonradiative recombination centers in GaAs:N δ-doped superlattice revealed by two-wavelength-excited photoluminescence
,Journal of Applied Physics,123(16):161426 2018
M.D. Haque, N. Kamata, T. Fukuda, Z. Honda, S. Yagi, and H. Yaguchi, and Y. Okada

Spectral change of intermediate band luminescence in GaP:N due to below-gap excitation: Discrimination from thermal activation
,Physica Stat. Solidi. B,254:1600566 2017
N. Kamata, M. Suetsugu, D. Haque, S. Yagi, and H. Yaguchi, F. Karlsson, and P.O. Holtz

Self-organized growth of cubic InN dot arrays on cubic GaN using MgO (001) vicinal substrates
,Physica Status Solidi B,254:1600542 2017
K. Ishii, S. Yagi, and H. Yaguchi

Growth of InN/GaN dots on 4H-SiC(0001) 4o off vicinal substrates by molecular beam epitaxy
,Journal of Crystal Growth,477:201-206 2017
K. Matsuoka, S. Yagi, and H. Yaguchi

Photoluminescence Characterization of Carrier Recombination Centers in 4H-SiC Substrates by Utilizing below Gap Excitation
,Materials Science Forum,897:315-318 2017
K. kondo, N. kamata, H. Yaguchi, S. Yagi, T. Fukuda, and Z. Honda

Biexciton Emission From Single Quantum‐Confined Structures in N‐Polar (000‐1) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells
,Physica Status Solidi B,255(5):201700454(1-4) 2017
K. Takamiya, S. Yagi, H. Y. H. Akiyama, K. Shojiki, T. Tanikawa, and R. Katayama

Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry
,Jounal of Applied Physics,117(9):095306 2015
D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi

Surface Orientation Dependence of SiC Oxidation Process Studied by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
,Mat. Sci. Forum,821-823:371-374 2015
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults
,Mat. Sci. Forum,821-823:328-330 2015
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
,Jpn. J. Appl. Phys,54:08KA04 2015
K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi

Molecular beam epitaxial growth of intermediate band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices
,Jpn. J. Appl. Phys.,54:08KA07 2015
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi

Photoluminescence study of oxidation-induced faults in 4H-SiC epilayers
,AIP Advances,5:127116 2015
Y. Miyano, R. Asafuji, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy
,Japanese Journal of Applied Physics,54:051201 2015
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N delta-doped superlattices
,Applied Physics Express,7(10):102301 2014
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H. Yaguchi

Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys
,Phys. Status Solidi A,vol. 211, No. 4:pp752-755 2014
W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi

Staked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
,Phys. Status Solidi C,vol. 10:pp. 1545-1548 2013
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Conversion Efficiency of Intermediate Band Solar Cells with GaAs:N Delta-Doped Superlattices
,Japanese Journal of Applied Physics,vol. 52:102302 2013
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. kuboya, K. Onabe, and H. Yaguchi

Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence
,Applied Physics Express,vol. 6:092401 2013
A. Z. M. T. Islam, T. Hanaoka, K. Onabe, S. Yagi, N. Kamada and H. Yaguchi

Analysis of Electronic Structures of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
,IEEE Journal of Photovoltaics,vol. 3:pp. 1287-1291 2013
S. Noguchi, S. Yagi, D. Sato, Y. Hijikata, K. Onabe, S. Kuboya and H. Yaguchi

Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates
,Journal of Crystal Growth,vol. 378:pp. 85-87 2013
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN
,Journal of Crystal Growth,vol. 378 :pp. 454-458 2013
J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atomospheric pressures using the Si and C emission model
,Materials Science Forum,vols. 740-742:pp. 833-836 2013
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida

Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
, Journal of Applied Physics,112:024502 2012
K. Kouda, Y. Hijikata, S.Yagi, H. Yaguchi, and S.Yoshida

RF-MBE growth of semipolar InN and InGaN(10-13) on GaAs(110)
,Physica Status Solidi (c),9:658-661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Micro-Photoluminescence Study on the Influence of Oxidation on Satacking Faults in 4H-SiC Epilayers
,Applied Physics Express,5:051302-051305 2012
H. Yamagata, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
,Materials Science Forum,706-709:2916-2921 2012
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-doped GaAs
,Applied Physics Express,5:111201-111203 2012
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
,Mater. Sci. Forum,706-7009:2916-2921 2012
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi

RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
,Phys. Status Solidi C,9:658 661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

荒川康彦 監修「超高効率太陽電池・関連材料の最前線」 第5章3節 量子・ナノ構造太陽電池(分担執筆)
,シーエムシー出版:171-181 2011
八木修平

High-density quantum dot superlattice for application to high-efficiency solar cells
,Physca Status Solidi C:619-621 2010
R. Oshima, Y. Okada, A. Takata, S. Yagi, K. Akahane,

量子ドット超格子による高効率太陽電池の開発
応用物理学会,応用物理,79(3):206-212 2010
岡田至崇、八木修平、大島隆治

学会発表
Growth Temperature Dependence of Cubic GaN Step Structures and Cubic InN Dot Arrays Grown on MgO(001) Vicinal Substrates
International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN 2018),Abstracts of IWN 2018 201811
K. Okura, K. Takamiya, S. Yagi, H. Yaguchi

規則配列化InNドットの作製に向けた立方晶GaN表面ステップ構造の成長条件依存性
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19p-PA4-25 201809
大倉 一将、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

第一原理計算によるGaAsN混晶中のN原子配置のバンド構造への影響の検討
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18-p-234B-6 201809
塚原悠太、八木 修平、矢口 裕之

二波長励起PL測定によるGaPN混晶のアップコンバージョン発光特性評価
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:18p-234B-4 201809
高橋 渉、高宮 健吾、八木 修平、狭間 優治、秋山 英文、矢口 裕之、鎌田 憲彦

RF-MBE法による4H-SiC(0001)基板上へのN極性GaNの作製
第79回応用物理学会秋季学術講演会,第79回応用物理学会秋季学術講演会予稿集: 19p-PA4-14 201809
杉浦 亮、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

Growth of InGaAs:N δ-doped superlattices for multi-junction solar cells
7th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion(WCPEC-7),Abstracts of WCPEC-7 201806
S. Umeda, S. Yagi, N. Miyashita, Y. Okada, H. Yaguchi

MBE成長したErドープGaAsの発光特性に対するアニーリングの影響
第65回応用物理学会春季学術講演会,第65回応用物理学会春季学術講演会予稿集:18p-P8-12 201803
五十嵐 大輔、高宮 健吾、伊藤 隆、八木 修平、秋山 英文、矢口 裕之

EFFECT OF SOLVENT VAPOR ANNEALING ON ORGANICPHOTOVOLTAICS WITH A NEW TYPE OF SOLUTION PROCESSABLE OLIGOTHIOPHENE-BASED ELECTRONIC DONOR MATERIAL
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSWC-27 abstracts:4ThPo.136 201711
Y. Akiyama, H. Tachibana, R. Azumi, T. Miyadera, M. Chikamatsu,T. Koganezawa, S. Yagi, H. Yaguchi

FIRST-PRINCIPLES STUDY OF OPTICAL TRANSITIONS IN GALLIUM ARSENIDE:NITROGEN DELTA-DOPED SUPERLATTICES
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:6ThPo.187 201711
H. Yoshikawa, S. Yagi, H. Yaguchi

INFLUENCE OF NITROGEN ATOMIC ARRANGEMENT IN GAASN ALLOYS ON BAND GAP ENERGY
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:6ThPo.190 201711
K. Miyajima, S. Yagi, Y. Shoji, Y. Okada, and H. Yaguchi

REAL-TIME X-RAY DIFFRACTION ANALYSIS FOR SOLVENT VAPOR ANNEALING PROCESS OF SMALL-MOLECULE/FULLERENE FILMS
The 27th International Photovoltaic Science and Engineering Conference,PVSEC-27 abstracts:4ThPo.143 201711
T. Miyadera, K. Arai, T. Koganezawa, Y. Akiyama,H. Tachibana, Y. Yoshida, M. Chikamatsu, S. Yagi, H. Yaguchi

Nanostructured Dilute Nitride Alloys for High-Efficiency Solar Cells
International Symposium on Novel Energy Nanomaterials, Catalysts and Surfaces for Future Earth,NENCS 2017 abstracts:IN15 201710
S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi

GaPN混晶のアップコンバージョン発光
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:6p-PA7-1 201709
高橋 渉、高宮 健吾、八木 修平、伊藤 隆、秋山 英文、矢口 裕之

基板再利用に向けたELO後基板の清浄化工程と再成長の検討
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:6p-PA5-23 201709
宮下 直也、八木 修平、渡辺 健太郎、木村 大希、ソダーバンル ハッサネット、中田 達也、杉山 正和、岡田 至崇

希釈窒化物半導体中の窒素原子配置によるバンドギャップへの影響
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:5p-C21-1 201709
宮島 数喜、八木 修平、庄司 靖、岡田 至崇、矢口 裕之

新規可溶性オリゴチオフェン系電子ドナー材料を用いた有機薄膜太陽電池への溶媒蒸気アニーリング効果
第78回応用物理学会学術講演会,第78回応用物理学会学術講演会予稿集:5p-PA3-7 201709
秋山 雄希、橘 浩昭、阿澄 玲子、宮寺 哲彦、近松 真之、八木 修平、矢口 裕之

Carrier Recombination levels in Intermediate-Band type GaPN revealed by Time Resolved and Two-Wavelength Excited Photoluminescence
Compound Semiconductor Week 2017,CSW 2017 abstracts 201705
N. Kamata, M. Suetsugu, M.D. Haque ,S. Yagi, H. Yaguchi, F. Karlsson, and P.O. Holtz

Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices
Compound Semiconductor Week 2017,CSW 2017 abstracts 201705
R. Kato, S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi

ErドープGaAsからの発光のMBE成長温度依存性
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:17p-P2-8 201703
五十嵐 大輔、高宮 健吾、八木 修平、伊藤 隆、秋山 英文、矢口 裕之

n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:15p-P16-8 201703
加藤 諒、八木 修平、岡田 至崇、矢口 裕之

1 eV帯InGaAs:N δドープ超格子の作製
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:14p-B6-9 201703
梅田 峻平、八木 修平、宮下直哉、岡田至崇、矢口裕之

Properties of dilute nitride pseudo-alloys grown using a nitrogen delta-doping technique
SPIE Photonic West 2017,SPIE 2017 Abstracts 201701
S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi

窒素δドーピングによる希釈窒化物混晶の成長と評価
第12回量子ナノ材料セミナー 201611
八木修平

Effect of Carrier Blocking Layer on Carrier Collection in Intermediate-Band Solar Cells using GaAs:N δ-Doped Superlattice
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-26),26th Photovoltac Science and Engineering Conference Abstracts 201610
T. Suzuki, S. Yagi, Y. Okada, and H. Yaguchi

4H-SiC微傾斜基板上に作製した自己組織化InN/GaNドットの配列性制御
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:16a-P5-11 201609
松岡 圭佑、八木 修平、矢口 裕之

レーザ照射によるGaInNAs混晶半導体の発光効率への影響
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:15a-P11-11 201609
米倉 成一、高宮 健吾、八木 修平、上田 修、矢口 裕之

新規可溶性オリゴチオフェン系材料を用いた有機薄膜太陽電池
第77回応用物理学会秋季学術講演会,第77回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-P9-11 201609
秋山 雄希、橘 浩昭、阿澄 玲子、宮寺 哲彦、近松 真之、小金澤 智之、矢口 裕之、八木 修平

Effect of Low Temperature Growth and a Distributed Bragg Reflector on the emission from Molecular Beam Epitaxy‐Grown Er δ‐doped GaAs
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
K. Takamiya, M. Suto, K. Iimura, S. Yagi, H. Yaguchi

Growth of InN/GaN Dots on 4H‐SiC(0001) 4° off Vicinal Substrates by Molecular Beam Epitaxy
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
K. Matsuoka, S. Yagi and H. Yaguchi

Nano‐Structural Characterization of Cubic InN Dots Grown on Single‐Domain Cubic GaN by Transmission Electron Microscopy
19th International Conference on Molecular Beam Epitaxy ,MBE 2016 Abstracts 201609
S. Yagi, K. Ishii and H. Yaguchi

Self-Organized Growth of Cubic InN Dot Arrays on MgO (001) Vicinal Substrates
Compound Semiconductor Week 2016,Abstract of ISCS 2016 201606
K. Ishii, S. Yagi and H. Yaguchi

Two-Wavelength Excited Photoluminescence in 4H-SiC Substrate -Dependence on BGE Power Density
Compound Semiconductor Week 2016,CSW 2016 abstracts 201606
K. Kondo, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda and Z. Honda

Optical Characterization of Carrier Recombination Processes in GaPN by Two- Wavelength Excited Photoluminescence
Compound Semiconductor Week 2016,CSW 2016 abstracts 201606
M. Suetsugu, N. Kamata, S. Yagi, H. Yaguchi, T. Fukuda, F. Karlsson, and P.-O. Holtz

MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
石井 健一、八木 修平、矢口 裕之

4H-SiC基板の二波長励起PL測定-BGE強度依存性-
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
近藤 圭太郎、福田 武司、本多 善太郎、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之

添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会講演会予稿集 201603
新井 康司、宮寺 哲彦、小金澤 智之、秋山 雄希、杉田 武、近松 真之、八木 修平、矢口 裕之

DRCN5T/PCBMバルクヘテロ接合膜の溶媒蒸気アニーリング過程のその場観察
第64回応用物理学会春季学術講演会,第64回応用物理学会春季学術講演会予稿集:16p-F201-3 201603
新井 康司、宮寺 哲彦、小金澤 智之、秋山 雄希、橘 浩昭、吉田 郵司、近松 真之、八木 修平

MgO微傾斜基板上に作製した立方晶InNドット配列構造の堆積量依存性
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集:22a-P6-10 201603
石井 健一、八木 修平、矢口 裕之

4H-SiC基板の二波長励起PL測定-BGE強度依存性-
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集:20a-H101-9 201603
近藤 圭太郎、福田 武司、本多 善太郎、鎌田 憲彦、八木 修平、矢口 裕之

添加剤導入によるP3HT薄膜の結晶成長過程のその場観察評価
第63回応用物理学会春季学術講演会,第63回応用物理学会春季学術講演会予稿集:19p-W242-6 201603
新井 康司、宮寺 哲彦、小金澤 智之、秋山 雄希、杉田 武、近松 真之、八木 修平、矢口 裕之

希釈窒化物混晶の結晶成長制御とマルチバンド太陽電池への応用
第11回量子ナノセミナー 201512
八木修平

希釈窒化物混晶の結晶成長制御とマルチバンド太陽電池への応用
第11回量子ナノ材料セミナー 201512
八木修平

フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
浅藤 亮祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之

微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
石井 健一、折原 操、八木 修平、矢口 裕之

第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
吉川 洋生、八木 修平、矢口 裕之1

第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
宮崎 貴史、八木 修平、矢口 裕之

Er ドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
飯村 啓泰、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δ ドープGaAsの発光特性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
須藤 真樹、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
金 日国、高宮 健吾、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之

GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集 201509
金 日国、高宮 健吾、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之

Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures 201509
S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki1, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi

Epitaxial Relationship of GaN Grown on GaAs (110) by RF-Molecular Beam Epitaxy”, The 11th International Conference on Nitride Semiconductors
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors 201509
T. Ikarashi, M. Orihara, S. Yagi, S. kuboya, R. Katayama and H. Yaguchi

Lateral Alignment of InN Nano-Scale Dots Grown on 4H-SiC(0001) Vicinal Substrates”, The 11th International Conference on Nitride Semiconductors
The 11th International Conference on Nitride Semiconductors 201509
S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamiya and H. Yaguchi

Lateral alignment of InN nano-scale dots grown on 4H-SiC(0001) vicinal substrates
11th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-11),Proc. of ICNS-11 201509
S. Mori, S. Yagi, M. Orihara, K. Takamkiya, H. Yaguchi

Optical and Structural Characterization of GaAs:N δ-Doped Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy
5th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano 2015),Proc. of SemiconNano2015 201509
S. Yagi, Y. Sato, N. Ueyama, T. Suzuki, K. Osada, Y. Okada, and H. Yaguchi

第一原理計算によるGaAs:N δドープ超格子における光学遷移に関する研究
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集: 13p-PB2-2 201509
吉川 洋生、八木 修平、矢口 裕之

微傾斜基板を用いたシングルドメイン立方晶GaNの成長と立方晶InNドット配列の形成
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:14p-PB12-19 201509
石井 健一、折原 操、八木 修平、矢口 裕之

第一原理計算によるInAsN混晶の伝導帯の解析
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-PB2-1 201509
宮崎 貴史、八木 修平、矢口 裕之

Er ドープGaAsからの発光に対する低温成長の影響
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-PB2-4 201509
飯村 啓泰、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

AlAs/GaAs分布ブラッグ反射鏡を有するEr δ ドープGaAsの発光特性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,13p-PB2-5:13p-PB2-5 201509
須藤 真樹、金 日国、高宮 健吾、八木 修平、矢口 裕之

フォトルミネッセンス法による4H-SiCエピ層中の酸化誘因欠陥の観察
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:15a-1A-11 201509
浅藤 亮祐、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之

GaAs MBE成長におけるEr原子の表面偏析の温度依存性
第76回応用物理学会秋季学術講演会,第76回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:13p-PB2-3 201509
金 日国、高宮 健吾、八木 修平、土方 泰斗、矢口 裕之

第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13a-P15-2 201503
宮崎 貴史, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13p-P19-17 201503
鈴木 智也, 八木 修平, 土方 泰斗, 岡田 至崇, 矢口 裕之

4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:12p-P16-9 201503
森 誠也, 高宮 健吾, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Material Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1TuO.7.4 201411
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi

Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1WePo.1.9 201411
K. Osada, T, Suzuki S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

MBE法によるGaAs中窒素δドープ超格子の作製と中間バンド型太陽電池への応用
第10回量子ナノ材料セミナー 201410
八木修平

SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-PB5-11 201409
今野良太郎,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-S1-6 201409
長田一輝,鈴木智也,八木修平,内藤駿弥,庄司靖,岡田至崇,土方泰斗,矢口裕之

中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会 ,第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集:19p-PB3-10 201409
鈴木智也,長田一輝,八木修平,内藤俊弥,土方泰斗,岡田至崇,矢口裕之

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-44 201409
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-58 201409
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41st International Symposium on Compound Semiconductors:P48 201405
Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi

Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
The 41 st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41 st International Symposium on Compound Semiconductors:P45 201405
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
第61回応用物理学会春季学術講演会,第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集:20a-PG1-15 201403
五十嵐健,折原操,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之

GaAs中窒素δドープ超格子の光学特性と中間バンド型太陽電池への応用
第9回量子ナノ材料セミナー,第9回量子ナノ材料セミナー講演予稿集 201311
八木修平、矢口裕之

Intermediate band solar cells based on GaAs:N delta-doped superlattices
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstracts of SemiconNano 2013:Session XVIII:I-35 201311
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi

irst-Principles Study of an Intermediate Band of GaPN Alloys
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference 201310
Makoto SaitoK. Sakamoto, S. Yagi, H. Yaguchi

Fabrication and characterization of intermediate band solar cells using GaAs:N delta-doped superlattice
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltac Science and Engineering Conference 201310
Shuhei Yagi

Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N delta-doped GaAs
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstract of SemiconNano2013:Session XVIII:C-18 201310
K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi

Si Emission into the Oxide Layer during Oxidation of Silicon Carbide
International Conference on Silicon Carbide,Abstracts of ICSCRM2013:Th-2B-4 201310
Y. Hijikata, Y. Akasaka, S. Yagi, and H. Yaguchi

InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-P7-15 201309
徳田英俊,折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-11 201309
高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之

GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-13 201309
岩崎卓也,八木修平,土方泰斗,矢口裕之,上田修

GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-16 201309
山崎泰由,八木修平,土方泰斗,尾鍋研太郎,矢口裕之

六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P9-4 201309
後藤大祐,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-D6-14 201309
八木修平,野口駿介,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,岡田至崇,矢口裕之

Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N Delta-Doped Superlattices
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC39),Proceedings of 39th Photovoltaic Specialists Conference:2490 - 2493 201306
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi

Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013),Abstracts of the 40th ISCS 201305
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi

中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超格子のE+バンド光吸収の観測
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB7-19 201303
野口駿介,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,岡田至崇,尾鍋研太郎,矢口裕之

4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB4-9 201303
宮野祐太郎,矢口裕之,土方泰斗,八木修平

RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:28p-PA1-1 201303
鈴木潤一郎,折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Carrier Transport through Resonant Tunneling Structures for Hot Carrier Solar Cells
4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells 201212
Shuhei Yagi

量子ドット太陽電池に向けた立方晶GaN上への立方晶InNドット配列成長
第3回薄膜太陽電池セミナー,第3回薄膜太陽電池セミナー予稿集 201210
鈴木潤一郎、折原操、八木修平、土方泰斗、矢口裕之

Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N delta doped superlattices for Intermediate Band Solar Cells
International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM):A-1-P26-014 201209
Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe and Hiroyuki Yaguchi

RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-24 201209
Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi

Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-21 201209
R. G. Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama and Hiroyuki Yaguchi

Optically assisted IV effect in a GaAs/AlGaAs resonant tunnel diode
International Workshop on High Efficiency Materials for Photovoltaics (HEMP) 2012 201209
Shuhei Yagi

RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:13p-H9-17 201209
折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-16 201209
金日国,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,片山竜二,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-20 201209
高宮健吾,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,片山竜二,矢口裕之

InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-11 201209
増田 篤,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-12 201209
五十嵐健,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

第一原理計算によりGaAsNの電子構造に関する対する原子配置の影響に関する研究
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-22 201209
坂本 圭,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-4 201209
大谷篤志,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

スパッタ薄膜成長による4H-SiC基板中の非発光再結合中心生成
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-12 201209
加藤寿悠,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 201209
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida

Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:000083-000086 201206
Shunsuke Noguchi, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe, Shigeyuki Kuboya and Hiroyuki Yaguchi

GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-12 201203
野口駿介,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,矢口裕之

熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:17p-A8-11 201203
山形 光,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:16a-DP1-27 201203
吉田倫大,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Application of Quantum Nanostructures to High-Efficiency Solar Cells
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会 "Japan-Korea Symposium on Photovoltaics",第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:15p-A1-6 201203
S. Yagi and Y. Okada

窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17a-A8-9 201203
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-13 201203
新井佑也,星野真也,高宮健吾,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,矢口裕之

EFFECT OF THERMAL CURRENT AT SELECTIVE CONTACTS USING RESONANT TUNNELING STRUCTURES ON PERFORMANCE OF HOT CARRIER SOLAR CELLS
The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference ,Technical Digest of the 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference :2D-4P-04 201112
Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi

共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:1a-H-12 201109
八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之

Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures 201109
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi

SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:31p-N-11 201108
篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史

窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30p-ZA-5 201108
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之

RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長(II)
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-9 201108
鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials 201108
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi

RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-8 201108
折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之

RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
9th International Conference on Nitride Semiconductors,Abstracts of the 9th International Conference on Nitride Semiconductors:PD3.19 201107
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proc. of 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:003309 201106
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi

In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定
第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会,第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿集 201010
甲田 景子,土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史

高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:16a-ZV-3 201009
大島隆治,高田彩未,八木修平,赤羽浩一,玉置 亮,宮野健次郎,岡田至崇

酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:15a-ZS-10 201009
土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史

極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-3 201009
石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,岡野 真人,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-1 201009
大久保 航,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,片山 竜二,尾鍋 研太郎, 矢口 裕之

極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-2 201009
新井 佑也,遠藤 雄太,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

窒素δドープGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-5 201009
星野 真也,遠藤 雄太,福島 俊之,高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-6 201009
高宮 健吾,遠藤 雄太,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,サノーピン サクンタム,矢口 裕之

Fabrication of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contact of Hot Carrier Solar Cell Based on III-V Semiconductors
35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:001213-001216 201006
S. Yagi and Y. Okada

Recent Progress on High-Efficiency Quantum Dot Solar Cells
Nanophotonics2010 201005
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada

RF-MBE 法による立方晶GaN 上への立方晶InN ドットの成長
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:26p-BZ-2 201003
鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之

GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25p-BQ-4 201003
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之

InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25a-BY-7 201003
矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

Recent Progress on Quantum Dot Solar Cell
2nd International Symposium on Innovative Solar Cells,Abstracts of 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells:79 200912
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada

Evaluation of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contacts of Hot Carrier Solar Cells
Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009,Abstract of Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 200912
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada

EVALUATION OF SELECTIVE ENERGY CONTACT FOR HOT CARRIER SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS
34th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE,Proceedings of the 34st IEEE Photovoltaic Specialists Conference:540 200906
S. Yagi, R. Oshima, Y. Okada