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プロフィール

八木 修平 ヤギ シュウヘイ

所属部署名 理工学研究科 数理電子情報部門 電話番号
職名 准教授 ■FAX番号
住所 埼玉県さいたま市桜区下大久保255 ■メールアドレス
■ホームページURL

プロフィール

兼担研究科・学部

工学部 電気電子システム工学科

研究分野

半導体工学
キーワード:半導体工学 , 結晶成長 , 高効率太陽電池

学歴

出身大学院・研究科等
2004 , 東京工業大学 , 博士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
2001 , 東京工業大学 , 修士 , 理工学研究科 , 電子物理工学専攻 , 修了
出身学校・専攻等(大学院を除く)
1999 , 電気通信大学 , 電気通信学部 , 電子工学科 , 卒業

研究活動業績

研究業績(著書・発表論文等)

論文
Differences in SiC thermal oxidation process between crystalline surface orientations observed by in-situ spectroscopic ellipsometry
,Jounal of Applied Physics,117(9):095306 2015
D. Goto, Y. Hijikata, S. Yagi, and H. Yaguchi

Surface Orientation Dependence of SiC Oxidation Process Studied by In-Situ Spectroscopic Ellipsometry
,Mat. Sci. Forum,821-823:371-374 2015
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults
,Mat. Sci. Forum,821-823:328-330 2015
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
,Jpn. J. Appl. Phys,54:08KA04 2015
K. Osada, T. Suzuki, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi

Molecular beam epitaxial growth of intermediate band materials based on GaAs:N δ-doped superlattices
,Jpn. J. Appl. Phys.,54:08KA07 2015
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naitoh, Y. Shoji, H. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi

Growth temperature dependence of the surface segregation of Er atoms in GaAs during molecular beam epitaxy
,Japanese Journal of Applied Physics,54:051201 2015
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

Enhanced optical absorption due to E+-related band transition in GaAs:N delta-doped superlattices
,Applied Physics Express,7(10):102301 2014
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada, and H. Yaguchi

Photoreflectance study of the temperature dependence of excitonic transitions in dilute GaAsN alloys
,Phys. Status Solidi A,vol. 211, No. 4:pp752-755 2014
W. Okubo, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, and H. Yaguchi

Staked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
,Phys. Status Solidi C,vol. 10:pp. 1545-1548 2013
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Conversion Efficiency of Intermediate Band Solar Cells with GaAs:N Delta-Doped Superlattices
,Japanese Journal of Applied Physics,vol. 52:102302 2013
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. kuboya, K. Onabe, H. Yaguchi

Direct Evidence of Carrier Excitation from Intermediate Band States in GaPN by Two-Wavelength Excited Photoluminescence
,Applied Physics Express,vol. 6:092401 2013
A. Z. M. T. Islam, T. Hanaoka, K. Onabe, S. Yagi, N. Kamada and H. Yaguchi

Analysis of Electronic Structures of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
,IEEE Journal of Photovoltaics,vol. 3:pp. 1287-1291 2013
S. Noguchi, S. Yagi, D. Sato, Y. Hijikata, K. Onabe, S. Kuboya and H. Yaguchi

Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (0 0 1) substrates
,Journal of Crystal Growth,vol. 378:pp. 85-87 2013
R. G. Jin, S. Yagi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

RF-MBE growth of cubic InN nano-scale dots on cubic GaN
,Journal of Crystal Growth,vol. 378 :pp. 454-458 2013
J. Suzuki, M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atomospheric pressures using the Si and C emission model
,Materials Science Forum,vols. 740-742:pp. 833-836 2013
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, and S. Yoshida

Oxygen partial pressure dependence of the SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
, Journal of Applied Physics,112:024502 2012
K. Kouda, Y. Hijikata, S.Yagi, H. Yaguchi, and S.Yoshida

RF-MBE growth of semipolar InN and InGaN(10-13) on GaAs(110)
,Physica Status Solidi (c),9:658-661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Micro-Photoluminescence Study on the Influence of Oxidation on Satacking Faults in 4H-SiC Epilayers
,Applied Physics Express,5:051302-051305 2012
H. Yamagata, S. Yagi, Y. Hijikata and H. Yaguchi

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
,Materials Science Forum,706-709:2916-2921 2012
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

Biexciton Luminescence from Individual Isoelectronic Traps in Nitrogen δ-doped GaAs
,Applied Physics Express,5:111201-111203 2012
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, H. Yaguchi

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
,Mater. Sci. Forum,706-7009:2916-2921 2012
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi

RF-MBE growth of semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
,Phys. Status Solidi C,9:658 661 2012
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

荒川康彦 監修「超高効率太陽電池・関連材料の最前線」 第5章3節 量子・ナノ構造太陽電池(分担執筆)
,シーエムシー出版:171-181 2011
八木修平

High-density quantum dot superlattice for application to high-efficiency solar cells
,Physca Status Solidi C:619-621 2010
R. Oshima, Y. Okada, A. Takata, S. Yagi, K. Akahane,

量子ドット超格子による高効率太陽電池の開発
応用物理学会,応用物理,79(3):206-212 2010
岡田至崇、八木修平、大島隆治

学会発表
第一原理計算によるInAsN混晶のバンド構造に関する研究
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13a-P15-2 201503
宮崎 貴史, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

GaAs:N δドープ超格子を有する太陽電池の二段階光吸収
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:13p-P19-17 201503
鈴木 智也, 八木 修平, 土方 泰斗, 岡田 至崇, 矢口 裕之

4H-SiC(0001)微傾斜基板を用いたInNドット配列の自己形成
2015年 第62回応用物理学会春季学術講演会,第62回応用物理学会春季学術講演会予稿集:12p-P16-9 201503
森 誠也, 高宮 健吾, 折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

Molecular Beam Epitaxy Growth of Intermediate Band Material Based on GaAs:N δ-Doped Superlattices
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1TuO.7.4 201411
T. Suzuki, K. Osada, S. Yagi, S. Naito, Y. Hijikata, Y. Okada, and H. Yaguchi

Control of Intermediate Band Configuration in GaAs:N δ-Doped Superlattice
The 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion (WCPEC-6),Technical Digest of the 6th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion:1WePo.1.9 201411
K. Osada, T, Suzuki S. Yagi, S. Naito, Y. Shoji, Y. Okada, Y. Hijikata, and H. Yaguchi

MBE法によるGaAs中窒素δドープ超格子の作製と中間バンド型太陽電池への応用
第10回量子ナノ材料セミナー 201410
八木修平

SiC酸化へのArアニール導入による酸化膜成長速度の変化
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-PB5-11 201409
今野良太郎,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

GaAs:N δドープ超格子による中間バンド構造のエネルギー制御
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会,第75回応用物理学会秋季学術講演会予稿集:19a-S1-6 201409
長田一輝,鈴木智也,八木修平,内藤駿弥,庄司靖,岡田至崇,土方泰斗,矢口裕之

中間バンド型太陽電池に向けたGaAs:Nδドープ超格子のMBE成長
2014年 第75回応用物理学会秋季学術講演会 ,第75回応用物理学会秋季学術講演会 予稿集:19p-PB3-10 201409
鈴木智也,長田一輝,八木修平,内藤俊弥,土方泰斗,岡田至崇,矢口裕之

Photoluminescence Study of Oxidation-Induced Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-44 201409
Y. Miyano, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Surface orientation dependence of SiC oxidation process studied by in-situ spectroscopic ellipsometry
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 2014 (ECSCRM2014):WE-P-58 201409
D. Goto, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Anomalous excitation power dependence of the luminescence from GaAsN/GaAs quantum well
The 41st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41st International Symposium on Compound Semiconductors:P48 201405
Y. Yamazaki, S. Yagi, Y. Hijikata, K. Onabe, H. Yaguchi

Resonant tunneling of electrons through cubic-InN quantum dots embedded in GaN
The 41 st International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2014),Abstracts of the 41 st International Symposium on Compound Semiconductors:P45 201405
S. Yagi, J. Suzuki, M. Orihara, Y. Hijikata, H. Yaguchi

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上へのGaNの成長
第61回応用物理学会春季学術講演会,第61回応用物理学会春季学術講演会講演予稿集:20a-PG1-15 201403
五十嵐健,折原操,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,片山竜二,矢口裕之

GaAs中窒素δドープ超格子の光学特性と中間バンド型太陽電池への応用
第9回量子ナノ材料セミナー,第9回量子ナノ材料セミナー講演予稿集 201311
八木修平、矢口裕之

Intermediate band solar cells based on GaAs:N delta-doped superlattices
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstracts of SemiconNano 2013:Session XVIII:I-35 201311
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi

irst-Principles Study of an Intermediate Band of GaPN Alloys
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltaic Science and Engineering Conference 201310
Makoto SaitoK. Sakamoto, S. Yagi, H. Yaguchi

Fabrication and characterization of intermediate band solar cells using GaAs:N delta-doped superlattice
Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-23),Technical Digest of 23rd Photovoltac Science and Engineering Conference 201310
Shuhei Yagi

Excitation power dependence of the emission from various N-N pairs in N delta-doped GaAs
4th International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures (SemiconNano),Abstract of SemiconNano2013:Session XVIII:C-18 201310
K. Takamiya, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, R. Katayama, K. Onabe, and H. Yaguchi

Si Emission into the Oxide Layer during Oxidation of Silicon Carbide
International Conference on Silicon Carbide,Abstracts of ICSCRM2013:Th-2B-4 201310
Y. Hijikata, Y. Akasaka, S. Yagi, and H. Yaguchi

InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-P7-15 201309
徳田英俊,折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光の時間分解フォトルミネッセンス測定
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-11 201309
高宮 健吾, 八木 修平, 土方 泰斗, 望月 敏光, 吉田 正裕, 秋山 英文, 窪谷 茂幸, 片山 竜二, 尾鍋 研太郎, 矢口 裕之

GaInNAs量子井戸の発光効率へのレーザー照射の影響
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-13 201309
岩崎卓也,八木修平,土方泰斗,矢口裕之,上田修

GaAsN/GaAs量子井戸構造からの発光の励起強度依存性
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P8-16 201309
山崎泰由,八木修平,土方泰斗,尾鍋研太郎,矢口裕之

六方晶SiC無極性面の酸化過程の実時間観察
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:19p-P9-4 201309
後藤大祐,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

GaAs:N δドープ超格子を用いた中間バンド型太陽電池の特性評価
第74回応用物理学会秋季学術講演会,第74回応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集:17p-D6-14 201309
八木修平,野口駿介,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,岡田至崇,矢口裕之

Optical Absorption by E+ Miniband of GaAs:N Delta-Doped Superlattices
39th IEEE Photovoltaic Specialists Conference (PVSC39),Proceedings of 39th Photovoltaic Specialists Conference:2490 - 2493 201306
S. Yagi, S. Noguchi, Y. Hijikata, S. Kuboya, K. Onabe, Y. Okada and H. Yaguchi

Stacked Structure of Self-Organized Cubic InN Nano-Scale Dots Grown by Molecular Beam Epitaxy
The 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013),Abstracts of the 40th ISCS 201305
Shuhei Yagi, Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Yasuto Hijikata, Hiroyuki Yaguchi

中間バンド型太陽電池へ向けたGaAs中窒素δドープ超格子のE+バンド光吸収の観測
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB7-19 201303
野口駿介,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,岡田至崇,尾鍋研太郎,矢口裕之

4H-SiCエピ膜中積層欠陥への熱酸化の影響について
2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:29p-PB4-9 201303
宮野祐太郎,矢口裕之,土方泰斗,八木修平

RF-MBE法による立方晶InNドット積層構造の作製
第60回応用物理学会春季学術講演会,2013年 第60回応用物理学会春季学術講演会予稿集:28p-PA1-1 201303
鈴木潤一郎,折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Carrier Transport through Resonant Tunneling Structures for Hot Carrier Solar Cells
4th International Workshop on Quantum Nanostructure Solar Cells 201212
Shuhei Yagi

量子ドット太陽電池に向けた立方晶GaN上への立方晶InNドット配列成長
第3回薄膜太陽電池セミナー,第3回薄膜太陽電池セミナー予稿集 201210
鈴木潤一郎、折原操、八木修平、土方泰斗、矢口裕之

Enhancement of High Energy Band Optical Transition in GaAs:N delta doped superlattices for Intermediate Band Solar Cells
International Union of Materials Research Societies-International Conference on Electronic Materials (IUMRS-ICEM):A-1-P26-014 201209
Shuhei Yagi, Shunsuke Noguchi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe and Hiroyuki Yaguchi

RF-MBE growth of cubic InN quantum dots on cubic GaN
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-24 201209
Junichiro Suzuki, Misao Orihara, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata and Hiroyuki Yaguchi

Molecular beam epitaxy of ErGaAs alloys on GaAs (001) substrates
The 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy,Abstracts of the 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy:MoP-21 201209
R. G. Jin, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Shigeyuki Kuboya, Kentaro Onabe, Ryuji Katayama and Hiroyuki Yaguchi

Optically assisted IV effect in a GaAs/AlGaAs resonant tunnel diode
International Workshop on High Efficiency Materials for Photovoltaics (HEMP) 2012 201209
Shuhei Yagi

RF-MBE法によるTiO2(001)基板上への立方晶GaNの成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:13p-H9-17 201209
折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

MBE法によるGaAs(001)基板上へのErGaAs混晶の成長
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-16 201209
金日国,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,片山竜二,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップからの発光のフォトルミネッセンス励起分光測定
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12p-PB11-20 201209
高宮健吾,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,片山竜二,矢口裕之

InN成長におけるInN高温バッファ層の効果に関する検討
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-11 201209
増田 篤,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

RF-MBE法によるGaAs(110)基板上への半極性InN成長に対する窒化の影響
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-12 201209
五十嵐健,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

第一原理計算によりGaAsNの電子構造に関する対する原子配置の影響に関する研究
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:12a-PB4-22 201209
坂本 圭,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

堆積と熱酸化による4H-SiC MOS構造の作製
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-4 201209
大谷篤志,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

スパッタ薄膜成長による4H-SiC基板中の非発光再結合中心生成
2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会,2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会予稿集:11p-PB2-12 201209
加藤寿悠,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Model calculations of SiC oxide growth rates at sub-atmospheric pressures
European Conference on Silicon Carbide & Related Materials 201209
Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida

Analysis of the Energy Structure of Nitrogen Delta-Doped GaAs Superlattices for High Efficiency Intermediate Band Solar Cells
38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 38th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:000083-000086 201206
Shunsuke Noguchi, Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Kentaro Onabe, Shigeyuki Kuboya and Hiroyuki Yaguchi

GaAs中窒素δドープ超格子のエネルギー構造評価
第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-12 201203
野口駿介,八木修平,土方泰斗,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,矢口裕之

熱酸化が4H-SiCエピ膜中積層欠陥に及ぼす影響の顕微フォトルミネッセンスによる観察
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:17p-A8-11 201203
山形 光,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

分光エリプソメトリによる立方晶InNの光学的特性評価
2012年 第59回応用物理関係連合講演会,第59回応用物理関係連合講演会予稿集:16a-DP1-27 201203
吉田倫大,折原 操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之

Application of Quantum Nanostructures to High-Efficiency Solar Cells
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会 "Japan-Korea Symposium on Photovoltaics",第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:15p-A1-6 201203
S. Yagi and Y. Okada

窒素δドープGaAsにおける単一等電子トラップからの励起子分子発光
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17a-A8-9 201203
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之

窒素δドープGaAs中の窒素原子対が形成する単一の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2012年 第59回応用物理学関係連合講演会,第59回応用物理学関係連合講演会予稿集:17p-DP3-13 201203
新井佑也,星野真也,高宮健吾,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,尾鍋研太郎,矢口裕之

EFFECT OF THERMAL CURRENT AT SELECTIVE CONTACTS USING RESONANT TUNNELING STRUCTURES ON PERFORMANCE OF HOT CARRIER SOLAR CELLS
The 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference ,Technical Digest of the 21st International Photovoltaic Science and Engineering Conference :2D-4P-04 201112
Shuhei Yagi, Yasuto Hijikata, Yoshitaka Okada, Hiroyuki Yaguchi

共鳴トンネル構造を用いたエネルギー選択層における熱励起電流のホットキャリア型太陽電池特性への影響
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:1a-H-12 201109
八木修平, 土方泰斗, 岡田至崇, 矢口裕之

Biexciton Emission from Single Isoelectronic Traps in Nitrogen Atomic-Layey-Doped GaAs
3rd International Workshop on Epitaxial Growth and Fundamental Properties of Semiconductor Nanostructures 201109
K. Takamiya, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama and H. Yaguchi

SiCの2段階酸化における酸化膜成長速度の測定
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:31p-N-11 201108
篠田 龍, 土方泰斗, 矢口裕之, 八木修平, 吉田貞史

窒素δドープGaAs(110)中の単一等電子トラップからの発光の偏光特性
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30p-ZA-5 201108
高宮健吾, 福島俊之, 星野真也, 八木修平, 土方泰斗, 望月敏光, 吉田正裕, 秋山英文, 窪谷茂幸, 片山竜二, 尾鍋研太郎, 矢口裕之

RF-MBE法による立方晶GaN上への立方晶InNドットの成長(II)
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-9 201108
鈴木潤一郎, 折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之

Single Photon Generation from Nitrogen Atomic-Layer Doped Gallium Arsenide
7th International Conference on Processing & Manufacturing of Advanced Materials 201108
K. Takamiya, Y. Endo, T. Fukushima, S. Yagi, Y. Hijikata, T. Mochizuki, M. Yoshita, H. Akiyama, S. Kuboya, K. Onabe, R. Katayama, and H. Yaguchi

RF-MBE法によるInN(10-13)及びInGaN(10-13)のGaAs(110)基板上への成長
2011年 第72回応用物理学会学術講演会,第72回応用物理学会学術講演会予稿集:30a-ZE-8 201108
折原 操, 八木修平, 土方泰斗, 矢口裕之

RF-MBE Growth of Semipolar InN(10-13) and InGaN(10-13) on GaAs(110)
9th International Conference on Nitride Semiconductors,Abstracts of the 9th International Conference on Nitride Semiconductors:PD3.19 201107
M. Orihara, S. Yagi, Y. Hijikata, H. Yaguchi

Quantum Well Double Barrier Resonant Tunneling Structures for Selective Contacts of Hot Carrier Solar Cells
37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proc. of 37th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:003309 201106
S. Yagi, Y. Hijikata, Y. Okada, H. Yaguchi

In-situ分光エリプソメータによるSiC酸化過程の酸素分圧依存性測定
第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会,第19回SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会予稿集 201010
甲田 景子,土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史

高密度InAs/GaNAs量子ドット太陽電池構造の光学特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:16a-ZV-3 201009
大島隆治,高田彩未,八木修平,赤羽浩一,玉置 亮,宮野健次郎,岡田至崇

酸化中のS i C 層へのS i およびC 原子放出についての理論的検討
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:15a-ZS-10 201009
土方 泰斗, 八木 修平,矢口 裕之,吉田 貞史

極低窒素濃度GaAsNにおける窒素ペアからの発光の窒素濃度依存性
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-3 201009
石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,岡野 真人,望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

極低窒素濃度GaAsNのフォトリフレクタンススペクトル
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-1 201009
大久保 航,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 吉田 貞史,片山 竜二,尾鍋 研太郎, 矢口 裕之

極低窒素濃度GaAsN中の等電子トラップからの発光に対する一軸応力の影響
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-2 201009
新井 佑也,遠藤 雄太,石川 輝,八木 修平,土方 泰斗, 窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

窒素δドープGaAs 中の等電子トラップを形成する窒素原子対配列に関する研究
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-5 201009
星野 真也,遠藤 雄太,福島 俊之,高宮 健吾,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,矢口 裕之

窒素δドープGaAs/AlGaAsヘテロ構造における等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第71回応用物理学会学術講演会,第71回応用物理学会学術講演会予稿集:14p-ZV-6 201009
高宮 健吾,遠藤 雄太,福島 俊之,星野 真也,八木 修平,土方 泰斗, 望月 敏光,吉田 正裕,秋山 英文,窪谷 茂幸,尾鍋 研太郎, 片山 竜二,サノーピン サクンタム,矢口 裕之

Fabrication of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contact of Hot Carrier Solar Cell Based on III-V Semiconductors
35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference,Proceedings of the 35th IEEE Photovoltaic Specialists Conference:001213-001216 201006
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada

Recent Progress on High-Efficiency Quantum Dot Solar Cells
Nanophotonics2010 201005
Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada

RF-MBE 法による立方晶GaN 上への立方晶InN ドットの成長
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:26p-BZ-2 201003
鈴木 潤一郎,折原 操,八木 修平,土方 泰斗,矢口 裕之

GaAs(110)基板上に作製した窒素δドープGaAsにおける等電子トラップからの発光特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25p-BQ-4 201003
高宮健吾,福島俊之,星野真也,八木修平,土方泰斗,望月敏光,吉田正裕,秋山英文,窪谷茂幸,片山竜二,尾鍋研太郎,矢口裕之

InN/p-4H-SiC構造の作製と電気・光学特性評価
2010年 第58回応用物理学関係連合講演会,第58回応用物理学関係連合講演会予稿集:25a-BY-7 201003
矢野 貴大,折原 操, 八木 修平, 土方 泰斗, 矢口 裕之

Recent Progress on Quantum Dot Solar Cell
2nd International Symposium on Innovative Solar Cells,Abstracts of 2nd International Symposium on Innovative Solar Cells:79 200912
Shuhei Yagi, Ryuji Oshima, Yoshitaka Okada

Evaluation of Resonant Tunneling Structures for Selective Energy Contacts of Hot Carrier Solar Cells
Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009,Abstract of Workshop on Information, Nano and Photonics Technology 2009 200912
Shuhei Yagi, Ryuji Oshima, Yoshitaka Okada

EVALUATION OF SELECTIVE ENERGY CONTACT FOR HOT CARRIER SOLAR CELLS BASED ON III-V SEMICONDUCTORS
34th IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE,Proceedings of the 34st IEEE Photovoltaic Specialists Conference:540 200906
Shuhei Yagi, Ryuji Oshima, Yoshitaka Okada